5G Module
Quectel RM520N 系列 5G 模块
模组特性
核心功能
- 网络制式:支持 5G NR Sub-6GHz(SA/NSA)、LTE-FDD/TDD、WCDMA/HSPA+。
- 接口类型:M.2 Key B,支持 PCIe 3.0 x4 和 USB 3.1 Gen2。
- GNSS:集成多模定位(GPS/GLONASS/BeiDou/Galileo/QZSS),支持 L1+L5 双频(需 AT 命令或硬件控制)。
- HPUE 增强:支持 Class 2 功率等级(26 dBm),提升小区边缘覆盖。
- 工业级设计:工作温度 -40°C 至 +85°C,尺寸 30×52×2.3mm。
型号对比
型号 | 支持频段 | HPUE 频段 | GNSS |
---|---|---|---|
RM520N-GL | 5G: n1/n3/n5/n7/n28/n38/n40/n41/n77/n78/n79; LTE: B1/B3/B5/B7/B8/B20/B28/B38/B40/B41 | n38/n41/n77/n78/n79 | L1+L5(预留) |
RM520N-EU | 5G: n1/n3/n7/n28/n41/n77/n78; LTE: B1/B3/B7/B8/B20/B28/B41 | n41/n77/n78 | L1+L5 |
RM520N-CN | 5G: n41/n78/n79; LTE: B1/B3/B5/B8/B41 | n41/n78/n79 | L1+L5 |
规格参数
电气特性
参数 | 规格 |
---|---|
电源电压 | 3.135V–4.4V(典型 3.7V) |
5G 峰值功耗 | 3.5A @ 3.7V(256QAM 调制) |
LTE 峰值功耗 | 2.0A @ 3.7V(256QAM 调制) |
工作温度 | -40°C 至 +85°C(工业级) |
存储温度 | -40°C 至 +90°C |
ESD 防护 | 接触放电 ±5kV,空气放电 ±10kV |
射频性能
网络类型 | 频段 | 下行速率 | 上行速率 | MIMO 配置 |
---|---|---|---|---|
5G NR | n41/n78(双载波聚合) | 2.5 Gbps | 900 Mbps | 4×4 MIMO |
LTE | B41(5CA) | 2 Gbps | 200 Mbps | 4×4 MIMO |
接口规格
M.2 Key B | 规格 |
---|---|
PCIe 3.0 | 4 通道(x4 Lane),理论带宽 32 Gbps,支持 NVMe 协议。 |
USB 3.1 Gen2 | 10 Gbps 速率,兼容 USB 2.0,支持 UVC 协议扩展。 |
(U)SIM | 双卡单待,1.8V/3.0V 兼容,支持热插拔(需 AT+QSIMDET 使能)。 |
使用说明
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接口配置
- PCIe 模式切换:
AT+QCFG="pcie/mode",1 // 切换为 RC 模式
AT+QCFG="pcie/bandwidth",1 // 配置 x4 通道 - GNSS 控制:
AT+QGPS=2 // 启用 L1+L5 双频定位
AT+QGPSEND // 关闭 GNSS
- PCIe 模式切换:
注意事项
设计关键点
-
电 源稳定性
- 瞬态电压需 ≤50mV(使用低 ESR 电容抑制纹波)。
- 禁止直接切断电源,需通过
AT+QPOWD
软关机或拉低FULL_CARD_POWER_OFF#
至少 900ms。
-
ESD 防护
- 所有接口需添加 TVS 阵列(结电容 ≤10pF)。
- SIM 卡走线长度 ≤200mm,串联 22Ω 电阻抑制 EMI。
-
散热管理
- 高负载时需加装导热垫片(导热系数 ≥5W/mK)或散热片(覆盖模块屏蔽罩)。
- 避免与热源相邻,PCB 露铜区域 ≥50%。
安全与维护
-
禁止操作
- 避免超声波清洗(损坏晶体),使用酒精擦拭需断电。
- 高温环境(>85°C)需降额使用,禁用 HPUE 模式。
-
固件升级
- 通过 USB 3.1 或 PCIe 接口升级,确保电源稳定(电压 ≥3.3V)。
附录
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机械尺寸:30.0mm × 52.0mm × 2.3mm(M.2 Key B),散热区域需预留 ≥2.5mm 空间。
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关键 AT 命令:
AT+CFUN=4 // 进入飞行模式
AT+QSCLK=1 // 启用睡眠模式
AT+QCFG="data_interface",0,0 // 切换回 USB 模式